長汐(A05)論文がNature Communications誌に掲載され、東京大学、国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS)、
東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社、名古屋大学、筑波大学、
国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)よりプレスリリースされました。

プレスリリースタイトル
次世代半導体 MoS2 の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
―結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成― 

◆東京大学
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2026-01-21-001（外部リンク）

◆NIMS
https://www.nims.go.jp/press/2026/01/202601210.html（外部リンク）

◆名古屋大学
https://www.nagoya-u.ac.jp/researchinfo/result/2026/01/mos2.html（外部リンク）

◆筑波大学
https://www.tsukuba.ac.jp/journal/technology-materials/20260121190000.html（外部リンク）

◆JST
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20260121/index.html（外部リンク）

論文タイトル
Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics

著者
Yoshiki Sakuma*, Keisuke Atsumi, Takanobu Hiroto, Jun Nara, Akihiro Ohtake, Yuki Ono, Takashi Matsumoto,
Yukihiro Muta, Kai Takeda, Emi Kano, Toshiki Yasuno, Xu Yang, Nobuyuki Ikarashi, Asato Suzuki, Michio Ikezawa,
Shuhong Li, Tomonori Nishimura, Kaito Kanahashi, Kosuke Nagashio*

Publication Date: 21 January 2026
DOI：10.1038/s41467-026-68320-8