宮田(A02)の論文がAdvanced Electronic Materials誌に掲載され、
東京都立大学よりプレスリリースされました。

プレスリリースタイトル
ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発
―2次元材料MoS₂と層状Sb₂Te₃での低コンタクト抵抗の実現―

https://www.tmu.ac.jp/news/topics/35420.html

論文タイトル
Sb₂Te₃/MoS₂ van der Waals Junctions with High Thermal Stability and Low Contact Resistance

著者
Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Naoya Okada, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Toshifumi Irisawa

Publication Date: 10 February 2023
https://doi.org/10.1002/aelm.202201091