大野(A05)、長汐(A05)、松田(A03)が、2024年度 戦略的創造研究推進事業（CREST）に採択されました。

2024年度　戦略的創造研究推進事業（CREST）の新規研究課題及び評価者について | CREST (jst.go.jp)（外部リンク）

戦略目標：「新たな半導体デバイス構造に向けた低次元マテリアルの活用基盤技術」
研究領域：「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」
研究総括：齋藤 理一郎（東北大学 名誉教授）

氏名 (所属機関 役職)
研究課題名　　　　　　

大岩 顕 (大阪大学 産業科学研究所 教授)
Semiconductor quantum technology based on industrial-grade Ge quantum materials

大野 雄高 (名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授)
ナノ物質デバイスにおけるノントラップ界面形成

長汐 晃輔 (東京大学 大学院工学系研究科 教授)
ウエハースケールvdWエピタキシーの確立と2D-CMOS 集積化のためのプロセス技術の構築

早水 裕平 (東京工業大学 物質理工学院 准教授)
ペプチド界面基盤技術によるグラフェン・バイオセンサの開拓

松田 一成 (京都大学 エネルギー理工学研究所 教授)
二次元半導体・ヘテロ構造の量子光プラットフォームの構築と応用