岡田研(A01)の丸山 実那 助教が「第20回(2026年)日本物理学会」で若手奨励賞を受賞しました
岡田研(A01)の丸山実那助教が第20回日本物理学会で若手奨励賞を受賞しました
■受賞者
丸山 実那(筑波大学 数理物質系 物理学域)
■対象研究/対象論文
原子層物質の電場効果に関する理論研究
Mina Maruyama, Nanami Ichinose, Yanlin Gao, Zheng Liu, Ryo Kitaura, Susumu Okada,
Gate-induced trans-dimensionality of carrier distribution in bilayer Lateral heterosheet of MoS2 and WS2 for
semiconductor devices with tunable functionality, ACS Applied Nano Materials Vol. 6, pp. 5434 – 5439 (2023).
Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada,
Carrier distribution control in van der Waals heterostructures of MoS2 and WS2 by field-induced band-edge
engineering, Physical Review Applied Vol. 14, art. no. 044028 (2020).
Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada,
Influence of interlayer stacking on gate-induced carrier accumulation in a bilayer MoS2,
ACS Applied Electronic Materials Vol. 2, pp. 1352 – 1357 (2020).
■受賞コメント
この度は、第20回(2026年)日本物理学会若手奨励賞(領域7)を受賞いたしました。
これもひとえに、この領域の皆様のサポートのおかげでございます。本当にありがとうございます。
今後もより一層研究に励んでまいります。
■【第20回(2026年)日本物理学会若手奨励賞】(外部リンク)
受賞おめでとうございます

