学術変革領域研究 2.5次元物質科学
学術変革領域研究 2.5次元物質科学
マイページ
EN
お問い合わせ
JP
Contact
Home
領域紹介
領域代表挨拶
領域概要
共同利用拠点
パンフレット
計画研究
X00班：総括班
A01班：２.５次元構造体のための物質創製 (物質創製班)
A02班：２.５次元集積構造の構築 (集積化班)
A03班：２.５次元構造体の分析技術開発 (分析班)
A04班：２.５次元構造体の新奇物性開拓 (物性開拓班)
A05班：２.５次元構造体の電子・光・エネルギー応用への展開 (機能創出班)
領域アドバイザー・評価委員
公募研究
公募班【第１期】
公募班【第２期】
公募情報【第１期】
公募研究【第２期】
Q＆A
イベント
セミナー
国際セミナー
領域内セミナー
各種セミナー
研究成果
研究成果 原著論文
研究成果 解説(日本語のみ)
研究成果 講演（基調・招待）
研究成果 受賞
研究成果 書籍
研究成果 その他
カバーギャラリー
プレスリリース
ニュース
日本語
English
領域の活動
ニュースレター
ニュースレター特別号 マンガ
アウトリーチ活動
若手支援
活動報告
その他
領域支援
謝辞について
画像データ
公募情報
Home
日本語
English
Message
2.5 D materials
Member
Original member
Adopted member (2022-2023)
Adopted member (2024-2025)
Event
Seminar
Achievements
Achievements – Paper
Achievements – Book
Achievements – Prize
Achievements – Other
News
Manga
HOME
»
原著論文
»
研究成果
Integration of high-k material and hexagonal boron nitride for top-gate WS2 field-effect transistors
ページトップ
Page Top
