研究成果 検索画面
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Photoinduced copper-catalyzed asymmetric acylation of allylic phosphates with acylsilanes
Y. Ueda, Y. Masuda, T. Iwai, K. Imaeda, H. Takeuchi, K. Ueno, M. Gao, J. Hasegawa, M. Sawamura
Journal of the American Chemical Society, 144, 2218-2224 (2022)
DOI: 10.1021/jacs.1c11526
プレス発表あり https://www.hokudai.ac.jp/news/2022/01/led-2.html
A05:計画研究A05 上野 貢生 / KOSEI UENO -
高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
佐々木太郎（長汐研）
(2022)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
A Fabry-Pérot cavity coupled surface plasmon photodiode for electrical biomolecular sensing
G. Allison, A. K. Sana, Y. Ogawa, H. Kato, K. Ueno, H. Misawa, K. Hayashi, H. Suzuki
Nature Communications, 12, 6483 (2021)
DOI: 10.1038/s41467-021-26652-7
プレス発表あり https://www.hokudai.ac.jp/news/2021/11/post-934.html
A05:計画研究A05 上野 貢生 / KOSEI UENO -
Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation
H. Ago, S. Okada, Y. Miyata, K. Matsuda, M. Koshino, K. Ueno, K. Nagashio
Sci. Tech. Adv. Mater., 23, 275-299 (2022)
DOI: 10.1080/14686996.2022.2062576
プレス発表あり https://www.asiaresearchnews.com/content/new-age-25d-materials
A01:計画研究 A02:計画研究 A03:計画研究 A04:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A01 吾郷 浩樹 / HIROKI AGO A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A04 越野 幹人 / MIKITO KOSHINO A05 上野 貢生 / KOSEI UENO A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
アニオンの挿入脱離を利用したグラフェンライクグラファイトの 正極材料としての応用
松尾吉晃
(2022)
第410回電池技術委員会
A05:計画研究A05 松尾 吉晃 / YOSHIAKI MATSUO -
Generation of ultralong liposome tubes by membrane fusion beneath a laser-induced micro bubble on gold surfaces
C. Kojima, A. Noguchi, T. Nagai, K.-I. Yuyama, S. Fujii, Sho, K. Ueno, N. Oyamada, K. Murakoshi, T. Shoji, Y. Tsuboi
ACS Omega, 7, 13120-13127 (2022)
DOI: 10.1021/acsomega.2c00553
A05:計画研究A05 上野 貢生 / KOSEI UENO -
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface
M. Umeda, N. Higashitarumizu, R. Kitaura, T. Nishimura, K. Nagashio
Appl. Phys. Express, 14 , 125002 (2021)
DOI: 10.35848/1882-0786/ac3d1f
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Quantitative Determination of Contradictory Band Gap Values of Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
W. Nishiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
Adv. Funct. Mater., 32, 2108061 (2021)
DOI: 10.1002/adfm.202108061
A01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Performance enhancement of SnS/h-BN Heterostructure p-type FET via Thermodynamically Predicted Surface Oxide Conversion Method
Y. Chang, T. Nishimura, T. Taniguchi, K. Watanabe,K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 17, 19928–19937 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c05534
A01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
50 Ns Utrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
K. Nagashio
(2022)
241st ECS Meeting
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
MoS2 FETから10年：何が解決して何が未解決なのか？
長汐晃輔
(2022)
第69回応用物理学会春季学術講演会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質の新機能デバイスへの展開
長汐晃輔
(2022)
電子デバイス界面テクノロジー研究会，第27回研究会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
グラフェン&2Dデバイスの現状と将来展望
長汐晃輔
(2022)
システムデバイスロードマップ委員会，2021年度第5回BC, MtM合同委員会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Room temperature in-plane ferroelectricity in SnS
K. Nagashio
(2021)
International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Two-dimensional tunnel FET
K. Nagashio
(2021)
International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質のデバイス応用の現状と将来展望
長汐晃輔
(2021)
化学工学会エレクトロニクス部会 先端技術シンポジウム
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO