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"Wavelength Dependence of Polarization-resolved Second Harmonic Generation from Ferroelectric SnS Few Layers"
R. Moqbel, Y.-R. Chang, Z. -Y. Li, S. -H. Kung, H. -Y. Cheng, C. -C. Lee, K. Nagashio, K. -H. Lin
2D mater., 10, 15022 (2022)
DOI: 10.1088/2053-1583/acab74
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO国際共著 -
高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
佐々木太郎（長汐研）
(2022)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation
H. Ago, S. Okada, Y. Miyata, K. Matsuda, M. Koshino, K. Ueno, K. Nagashio
Sci. Tech. Adv. Mater., 23, 275-299 (2022)
DOI: 10.1080/14686996.2022.2062576
プレス発表あり https://www.asiaresearchnews.com/content/new-age-25d-materials
総説/ReviewA01:計画研究 A02:計画研究 A03:計画研究 A04:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A01 吾郷 浩樹 / HIROKI AGO A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A04 越野 幹人 / MIKITO KOSHINO A05 上野 貢生 / KOSEI UENO A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface
M. Umeda, N. Higashitarumizu, R. Kitaura, T. Nishimura, K. Nagashio
Appl. Phys. Express, 14 , 125002 (2021)
DOI: 10.35848/1882-0786/ac3d1f
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Quantitative Determination of Contradictory Band Gap Values of Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
W. Nishiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
Adv. Funct. Mater., 32, 2108061 (2021)
DOI: 10.1002/adfm.202108061
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Performance enhancement of SnS/h-BN Heterostructure p-type FET via Thermodynamically Predicted Surface Oxide Conversion Method
Y. Chang, T. Nishimura, T. Taniguchi, K. Watanabe,K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 17, 19928–19937 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c05534
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
MoS2 FETから10年：何が解決して何が未解決なのか？
長汐晃輔
(2022)
第69回応用物理学会春季学術講演会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質の新機能デバイスへの展開
長汐晃輔
(2022)
電子デバイス界面テクノロジー研究会，第27回研究会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
グラフェン&2Dデバイスの現状と将来展望
長汐晃輔
(2022)
システムデバイスロードマップ委員会，2021年度第5回BC, MtM合同委員会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Room temperature in-plane ferroelectricity in SnS
K. Nagashio
(2021)
International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Two-dimensional tunnel FET
K. Nagashio
(2021)
International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質のデバイス応用の現状と将来展望
長汐晃輔
(2021)
化学工学会エレクトロニクス部会 先端技術シンポジウム
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Current Injection into Single-Crystalline Carbon-Doped h-BN toward Electronic and Optoelectronic Applications
S. Ngamprapawat, T. Nishimura, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, 14,22, 25731-25740 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c04544
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN
T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 22, 25659–25669 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c03198
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Quantization of Mode Shifts in Nanocavities Integrated with Atomically Thin Sheets
N. Fang, D. Yamashita, S. Fujii, K. Otsuka, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, Y. K. Kato
Adv. Opt. Mater., 10, 2200538 (2022)
DOI: 10.1002/adom.202200538
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Is the Band Gap of Bulk PdSe₂ Located Truly in the Far Infrared Region? -Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy
W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, K. Nagashio
Adv. Photonics Res., 2022, 2200231 (2022)
DOI: 10.1002/adpr.202200231
原著論文/PaperA05:計画研究 A02:2022年度公募研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
50 Ns Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
K. Nagashio
(2022)
241st ECS Meeting, (June, 3, 2022, online).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
K. Nagashio
(2022)
The 22nd Int. Conf. on Sci & Appl. of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT22)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics
K. Nagashio
(2022)
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2022, Makuhari Mess Chiba).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
"A Monolayer MoS2 FET with an EOT of 1.1 nm Achieved by the Direct Formation of a High-κ Er2O3 Insulator Through Thermal Evaporation",
H. Uchiyama, K. Maruyama, E. Chen, T. Nishimura, K. Nagashio
Small, 1002, 2207394 (2023)
DOI: 10.1002/smll.202207394
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO国際共著 -
Experimental verification of SO₂ and S desorption contributing to defect formation in MoS₂ by thermal desorption spectroscopy
S. Li, T. Nishimura, M. Maruyama, S. Okada, K. Nagashio
Nanoscale Adv., 5, 405-411 (2023)
DOI: 10.1039/D2NA00636G
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
“Consider the S vacancy formation in MoS2”
Kosuke Nagashio
(2022)
A3 Foresight International Symposium 2022
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
MoS2トランジスタの発表から約10年 ー現状と将来展望ー
長汐晃輔
(2023)
研究会「一次元二次元物質科学の展望と課題」
[5][招待講演] 長汐晃輔, "MoS2トランジスタの発表から約10年 ー現状と将来展望ー", 研究会「一次元二次元物質科学の展望と課題」, (2023年3月10日, 東北大学青葉山キャンパス, 仙台)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H. E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
ACS Nano, 17,7, 6545-6554 (2023)
DOI: 10.1021/acsnano.2c11927
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究 A03:2022年度公募研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO A03 柳 和宏 / KAZUHIRO YANAGI領域内共著 -
表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe₂ FET のp型動作
中島 隆一（長汐研）
(2023)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
p-type conversion of WS₂ and WS₂ by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors
R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, 15, 26977-26984 (2023)
DOI: 10.1021/acsami.3c04052
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Work function modulation of Bi/Au bilayer system toward p-type WSe₂ FET
R. Nakajima, T. Nishimura, K. Ueno, K. Nagashio
ACS Appl. Electron. Mater., 6, 144-149 (2023)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c01091
原著論文/PaperA05:計画研究 A02:2022年度公募研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Single-gate MoS₂ Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction
T. Fukui, T. Nishimura, Y. Miyata, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Appl. Mater.Interfaces, 8993-9001 (2024)
DOI: 10.1021/acsami.3c15535
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
二次元物質による次世代デバイスの展望
長汐晃輔
(2023)
第6回koineミーティング
"二次元物質による次世代デバイスの展望", 第6回koineミーティング, (2023年5月19日, 九州大学筑紫キャンパス, 春日)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状材料トランジスタの発表から約10年
長汐晃輔
(2023)
第2回 NanoHubシンポジウム
長汐晃輔, " 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー", 第2回 NanoHubシンポジウム, (2023年6月20日, 東京大学山上会館, 文京区)．
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望
長汐晃輔
(2023)
2023年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
[招待講演] 長汐晃輔, "二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望", 2023年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, (2023年8月3日, 北海道大学, 札幌，ハイブリッド)．
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective
Kosuke Nagashio
(2023)
2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits
[1][Invited] Kosuke Nagashio, “Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective ”, 2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits, (June 11-16, 2023, RIHGA Royal Hotel, Kyoto, Japan).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced Spiral Growth for Energy Harvesting
Kosuke Nagashio
(2023)
3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC)
[7][Invited]Kosuke Nagashio, “Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
Spiral Growth for Energy Harvesting” 3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC), (November. 10, 2023, Nippon Christian Academy Kansai Seminar House, Sakyo-ku, Kyoto). -
2D layered semiconductors: Challenge & Perspective
Kosuke Nagashio
(2023)
36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
[8][keynote]Kosuke Nagashio, “2D layered semiconductors: Challenge & Perspective” 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (November. 14, 2023, Keio Plaza Hotel Sapporo,Japan).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS
長汐晃輔
(2023)
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023(ICMaSS)
[9][Invited]Kosuke Nagashio, “Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS” International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023(ICMaSS), (December. 2, 2023, Nagoya University, Nagoya, Aichi).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
固体物理
長汐晃輔
605-612 (2023)
株式会社 アグネ技術センター
1] 長汐晃輔, "2次元圧電/強誘電物質", 固体物理, 2023, 58, 605-612.
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
From h-BN to graphene: characterizations of hybrid carbon-doped h-BN for applications in electronic and optoelectronic devices
S. Ngamprapawat, J. Kawase, T. Nishimura, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Nagashio
Adv. Electronic Mater., 9, 2300083 (2023)
DOI: 10.1002/aelm.202300083
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Shift current photovoltaics based on a non-centrosymmetric phase in in-plane ferroelectric SnS
Y-R. Chang, R. Nanae, S. Kitamura, T. Nishimura, H. Wang, Y. Xiang, K. Shinokita, K. Matsuda, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
Adv. Mater., 35, 2301172 (2023)
DOI: 10.1002/adma.202301172
原著論文/PaperA01:計画研究 A03:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Resonant exciton transfer in mixed-dimensional heterostructures for overcoming dimensional restrictions in optical processes
N. Fang, Y. R. Chang, D. Yamashita, S. Fujii, M. Maruyama, Y. Gao, C. F. Fong, K. Otsuka, K. Nagashio, S. Okada, Y. K. Kato
Nature Commun, 14, 8152 (2023)
DOI: 10.1038/s41467-023-43928-2
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向
宮田耕充、吾郷浩樹、松田一成、長汐晃輔
(2023)
株式会社シーエムシー出版
A01:計画研究 A02:計画研究 A03:計画研究 A05:計画研究A01 吾郷 浩樹 / HIROKI AGO A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Room-temperature quantum emission from interface excitons in mixed-dimensional heterostructures
N. Fang, Y. R. Chang, S. Fujii, D. Yamashita, M. Maruyama, Y. Gao, C. F. Fong, D. Kozawa, K. Otsuka, K. Nagashio, S. Okada, Y. K. Kato
Nature commun, 15, 2871 (2024)
DOI: 10.48550/arXiv.2307.15399
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究 A01:2024年度公募研究 A04:2024年度公募研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A01 小澤 大知 / DAICHI KOZAWA A04 藤井 瞬 / SHUN FUJII領域内共著 | 国際共著 -
Giant Second-order Nonlinearity and Anisotropy of Large-sized Few-layer SnS with Ferroelectric Stacking
Redhwan Moqbel, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Ming-Hao Lee, Yann-Wen Lan, Chi-Cheng Lee, Kosuke Nagashio, Kung-Hsuan Lin
Adv. Optical Mater., 2400, 355 (2024)
DOI: 10.1002/adom.202400355
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO国際共著 -
Transport properties of multilayer NbxMo₁−xS₂/MoS₂ in-plane heterostructure tunnel FETs on hexagonal boron nitride substrate
S. Toida, S. Yamaguchi, T. Endo, Y. Nakanishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Nagashio, Y. Miyata
Appl. Phys. lett, 124, 263101 (2024)
DOI: 10.1063/5.0209432
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 | 国際共著 -
Bulk Photovoltaic Effect in Single Ferroelectric Domain of SnS Crystal and Control of Local Polarization by Strain
Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Yih-Ren Chang, Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Redhwan Moqbel, Kung-Hsuan Lin, Mina Maruyama, Yanlin Gao, Susumu Okada, Kai Qi, Jui-Han Fu, Vincent Tung, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio
Adv. Funct. Mater, 2406, 140 (2024)
DOI: 10.1002/adfm.202406140
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 | 国際共著 -
2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー
長汐晃輔
(2024)
日本学術振興会 R031 ハイブリッド量子ナノ技術委員会第14回研究会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状強誘電SnSにおけるバルク光起電力効果
長汐晃輔
(2024)
Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective ”
Kosuke Nagashio
(2024)
2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
loT利用を目指した2次元層状環境発電素子
長汐 晃輔
(2024)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS
Kosuke Nagashio
(2024)
JAIST International symposium on Nano-Materials for Novel Devices
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Strain-induced scrolling of Janus WSSe
Y. Gao, M. Kaneda, T. Endo, H. Nakajo, S. Aoki, T. Kato, Y. Miyata, S. Okada
Phys. Rev. B, 110, 035414 (2024)
DOI: 10.1103/PhysRevB.110.035414
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A01:2024年度公募研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A01 加藤 俊顕 /TOSHIAKI KATO領域内共著