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Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN
T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 22, 25659–25669 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c03198
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Is the Band Gap of Bulk PdSe₂ Located Truly in the Far Infrared Region? -Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy
W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, K. Nagashio
Adv. Photonics Res., 2022, 2200231 (2022)
DOI: 10.1002/adpr.202200231
原著論文/PaperA05:計画研究 A02:2022年度公募研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H. E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
ACS Nano, 17,7, 6545-6554 (2023)
DOI: 10.1021/acsnano.2c11927
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究 A03:2022年度公募研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO A03 柳 和宏 / KAZUHIRO YANAGI領域内共著 -
Fermi Pressure and Coulomb Repulsion Driven Rapid Hot Plasma Expansion in a van der Waals Heterostructure
J. Choi, J. Embley, D. D. Blach, R. Perea-Causín, D. Erkensten, D. S. Kim, L. Yuan, W. Y. Yoon, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, E. Tutuc, S. Brem, E. Malic, X. Li, L. Huang
Nano Lett., 23, 4399-4405 (2023)
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00678
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 | 国際共著 -
p-type conversion of WS₂ and WS₂ by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors
R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, 15, 26977-26984 (2023)
DOI: 10.1021/acsami.3c04052
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Work function modulation of Bi/Au bilayer system toward p-type WSe₂ FET
R. Nakajima, T. Nishimura, K. Ueno, K. Nagashio
ACS Appl. Electron. Mater., 6, 144-149 (2023)
DOI: 10.1021/acsaelm.3c01091
原著論文/PaperA05:計画研究 A02:2022年度公募研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Single-gate MoS₂ Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction
T. Fukui, T. Nishimura, Y. Miyata, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Appl. Mater.Interfaces, 8993-9001 (2024)
DOI: 10.1021/acsami.3c15535
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Silicon-van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design
M.-P. Lee, C. Gao, M.-Y. Tsai, C.-Y. Lin, F.-S. Yang, H.-Y. Sung, C. Zhang, W. Li, J. Li, J. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, K. Tsukagoshi, C.-H. Ho, J. Chu, P.-W. Chiu, M. Li, W.-W. Wu, Y.-F. Lin
Sci. Adv., 9, 49 (2023)
DOI: 10.1126/sciadv.adk1597
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:2022年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 | 国際共著 -
Spatial and reconfigurable control of photoluminescence from single-layer MoS₂ using a strained VO₂-based Fabry–Pérot cavity
K. Nakayama, S. Toida, T. Endo, M. Inada, S. Sato, H. Tani, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, Y. Miyata, K. Matsuda, M. Yamamoto
Appl. Phys. Lett., 125, 223106 (2024)
DOI: 10.1063/5.0236517
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A03:計画研究 A02:2022年度公募研究 A05:2022年度公募研究 A05:2024年度公募研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A02 上野 啓司 / KEIJI UENO A05 山本 真人 / MAHITO YAMAMOTO領域内共著