学術変革領域研究 2.5次元物質科学
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A02 北浦 良 / Ryo Kitaura
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A03 高橋 康史 / Yasufumi Takahashi
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A05 山本 真人 / Mahito Yamamoto
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Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN
T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 22, 25659–25669 (2022)
DOI:
10.1021/acsami.2c03198
原著論文/Paper
A01:計画研究
A05:計画研究
A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著
Is the Band Gap of Bulk PdSe₂ Located Truly in the Far Infrared Region? -Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy
W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, K. Nagashio
Adv. Photonics Res., 2022, 2200231 (2022)
DOI:
10.1002/adpr.202200231
原著論文/Paper
A05:計画研究
A02:2022年度公募研究
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著
Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H. E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
ACS Nano, 17,7, 6545-6554 (2023)
DOI:
10.1021/acsnano.2c11927
原著論文/Paper
A01:計画研究
A02:計画研究
A05:計画研究
A02:2022年度公募研究
A03:2022年度公募研究
A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA
A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
A03 柳 和宏 / KAZUHIRO YANAGI
領域内共著
Fermi Pressure and Coulomb Repulsion Driven Rapid Hot Plasma Expansion in a van der Waals Heterostructure
J. Choi, J. Embley, D. D. Blach, R. Perea-Causín, D. Erkensten, D. S. Kim, L. Yuan, W. Y. Yoon, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, E. Tutuc, S. Brem, E. Malic, X. Li, L. Huang
Nano Lett., 23, 4399-4405 (2023)
DOI:
10.1021/acs.nanolett.3c00678
原著論文/Paper
A01:計画研究
A02:2022年度公募研究
A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著 | 国際共著
p-type conversion of WS₂ and WS₂ by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors
R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, 15, 26977-26984 (2023)
DOI:
10.1021/acsami.3c04052
原著論文/Paper
A01:計画研究
A05:計画研究
A02:2022年度公募研究
A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著
Work function modulation of Bi/Au bilayer system toward p-type WSe₂ FET
R. Nakajima, T. Nishimura, K. Ueno, K. Nagashio
ACS Appl. Electron. Mater., 6, 144-149 (2023)
DOI:
10.1021/acsaelm.3c01091
原著論文/Paper
A05:計画研究
A02:2022年度公募研究
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著
Single-gate MoS₂ Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction
T. Fukui, T. Nishimura, Y. Miyata, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Appl. Mater.Interfaces, 8993-9001 (2024)
DOI:
10.1021/acsami.3c15535
原著論文/Paper
A01:計画研究
A02:計画研究
A05:計画研究
A02:2022年度公募研究
A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE
A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA
A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著
Silicon-van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design
M.-P. Lee, C. Gao, M.-Y. Tsai, C.-Y. Lin, F.-S. Yang, H.-Y. Sung, C. Zhang, W. Li, J. Li, J. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, K. Tsukagoshi, C.-H. Ho, J. Chu, P.-W. Chiu, M. Li, W.-W. Wu, Y.-F. Lin
Sci. Adv., 9, 49 (2023)
DOI:
10.1126/sciadv.adk1597
原著論文/Paper
A01:計画研究
A02:2022年度公募研究
A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE
A02 上野 啓司 / KEIJI UENO
領域内共著 | 国際共著
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