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高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
佐々木太郎（長汐研）
(2022)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation
H. Ago, S. Okada, Y. Miyata, K. Matsuda, M. Koshino, K. Ueno, K. Nagashio
Sci. Tech. Adv. Mater., 23, 275-299 (2022)
DOI: 10.1080/14686996.2022.2062576
プレス発表あり https://www.asiaresearchnews.com/content/new-age-25d-materials
総説/ReviewA01:計画研究 A02:計画研究 A03:計画研究 A04:計画研究 A05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A01 吾郷 浩樹 / HIROKI AGO A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A03 松田 一成 / KAZUNARI MATSUDA A04 越野 幹人 / MIKITO KOSHINO A05 上野 貢生 / KOSEI UENO A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface
M. Umeda, N. Higashitarumizu, R. Kitaura, T. Nishimura, K. Nagashio
Appl. Phys. Express, 14 , 125002 (2021)
DOI: 10.35848/1882-0786/ac3d1f
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Quantitative Determination of Contradictory Band Gap Values of Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
W. Nishiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
Adv. Funct. Mater., 32, 2108061 (2021)
DOI: 10.1002/adfm.202108061
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Performance enhancement of SnS/h-BN Heterostructure p-type FET via Thermodynamically Predicted Surface Oxide Conversion Method
Y. Chang, T. Nishimura, T. Taniguchi, K. Watanabe,K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 17, 19928–19937 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c05534
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
MoS2 FETから10年：何が解決して何が未解決なのか？
長汐晃輔
(2022)
第69回応用物理学会春季学術講演会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質の新機能デバイスへの展開
長汐晃輔
(2022)
電子デバイス界面テクノロジー研究会，第27回研究会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
グラフェン&2Dデバイスの現状と将来展望
長汐晃輔
(2022)
システムデバイスロードマップ委員会，2021年度第5回BC, MtM合同委員会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Room temperature in-plane ferroelectricity in SnS
K. Nagashio
(2021)
International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Two-dimensional tunnel FET
K. Nagashio
(2021)
International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
2次元層状物質のデバイス応用の現状と将来展望
長汐晃輔
(2021)
化学工学会エレクトロニクス部会 先端技術シンポジウム
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Current Injection into Single-Crystalline Carbon-Doped h-BN toward Electronic and Optoelectronic Applications
S. Ngamprapawat, T. Nishimura, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces, 14,22, 25731-25740 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c04544
原著論文/PaperA01:計画研究 A05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN
T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, K. Nagashio
ACS Appl. Mater. Interfaces., 14, 22, 25659–25669 (2022)
DOI: 10.1021/acsami.2c03198
原著論文/PaperA05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
Quantization of Mode Shifts in Nanocavities Integrated with Atomically Thin Sheets
N. Fang, D. Yamashita, S. Fujii, K. Otsuka, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, Y. K. Kato
Adv. Opt. Mater., 10, 2200538 (2022)
DOI: 10.1002/adom.202200538
原著論文/PaperA05:計画研究A01 渡邊 賢司 / KENJI WATANABE A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 | 国際共著 -
Is the Band Gap of Bulk PdSe2 Located Truly in the Far Infrared Region? -Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy
W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, K. Nagashio
Adv. Photonics Res., 2022, 2200231 (2022)
DOI: 10.1002/adpr.202200231
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO領域内共著 -
50 Ns Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
K. Nagashio
(2022)
241st ECS Meeting, (June, 3, 2022, online).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
K. Nagashio
(2022)
The 22nd Int. Conf. on Sci & Appl. of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT22)
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics
K. Nagashio
(2022)
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2022, Makuhari Mess Chiba).
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
"A Monolayer MoS2 FET with an EOT of 1.1 nm Achieved by the Direct Formation of a High-κ Er2O3 Insulator Through Thermal Evaporation",
H. Uchiyama, K. Maruyama, E. Chen, T. Nishimura, K. Nagashio
Small, 1002, 2207394 (2023)
DOI: 10.1002/smll.202207394
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO国際共著 -
Experimental verification of SO2 and S desorption contributing to defect formation in MoS2 by thermal desorption spectroscopy
S. Li, T. Nishimura, M. Maruyama, S. Okada, K. Nagashio
Nanoscale Adv., 5, 405-411 (2023)
DOI: 10.1039/D2NA00636G
原著論文/PaperA05:計画研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO領域内共著 -
"Wavelength Dependence of Polarization-resolved Second Harmonic Generation from Ferroelectric SnS Few Layers"
R. Moqbel, Y.-R. Chang, Z. -Y. Li, S. -H. Kung, H. -Y. Cheng, C. -C. Lee, K. Nagashio, K. -H. Lin
2D mater., 10, 15022 (2022)
DOI: 10.1088/2053-1583/acab74
原著論文/PaperA05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO国際共著 -
“Consider the S vacancy formation in MoS2”
Kosuke Nagashio
(2022)
A3 Foresight International Symposium 2022
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
一次元二次元物質科学の展望と課題
長汐晃輔
(2023)
MoS2トランジスタの発表から約10年 ー現状と将来展望ー 研究会
A05:計画研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO -
Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H. E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
ACS Nano, 17,7, 6545-6554 (2023)
DOI: 10.1021/acsnano.2c11927
原著論文/PaperA01:計画研究 A02:計画研究 A05:計画研究 A02:2022年度公募研究 A03:2022年度公募研究A01 岡田 晋 / SUSUMU OKADA A02 宮田 耕充 / YASUMITU MIYATA A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO A02 上野 啓司 / KEIJI UENO A03 柳 和宏 / KAZUHIRO YANAGI領域内共著 -
表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe₂ FET のp型動作
中島 隆一（長汐研）
(2023)
A05:2022年度公募研究A05 長汐 晃輔 / KOSUKE NAGASHIO